| 申请专利号 |
200380104054.2 |
专利申请日 |
2003.11.10 |
| 名称 |
清洁片和基板处理装置的清洁方法 |
公开（公告）号 |
CN1717285 |
| 公开（公告）日 |
2006.01.04 |
颁证日 |
|
| 优先权 |
|
申请（专利权） |
日东电工株式会社 |
| 地址 |
日本大阪府 |
发明（设计）人 |
寺田好夫;并河亮;丰田英志 |
| 国际申请 |
2003-11-10 PCT/JP2003/014261 |
国际公布 |
2004-06-10 WO2004/048008 日 |
| 专利代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
贾静环;宋 莉 |
| 摘要 |
| 本发明公开了一种清洁元件，所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内，清除装置内部的外来物质的过程中，不通过离子杂质污染基板处理装置。本发明还公开了一种清洁元件，所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内，清除装置内部的外来物质的过程中，不通过金属杂质污染基板处理装置。具体地，公开了一种清洁片，所述清洁片的特征在于在支持体的一个表面上提供F-、Cl-、Br-、NO2-、NO3-、PO43-、SO42-、Na+、NH4+和K+的纯水提取量都为20ppm或更少(于120℃沸腾下提取1小时)，而在支持体的另一个表面上具有粘合剂层。本发明还公开了一种清洁片，其特征在于在支持体的一个表面上提供Na、K、Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn或其化合物的量以各自的金属元素计时各自为5ppm(μg/g)的清洁层，以及提供在另一侧上的粘合剂层。 |
| 主权项 |
| 1.一种清洁片，包括其中F-、Cl-、Br-、NO2-、NO3-、PO43-、SO42-、Na+、NH4+和K+的纯水提取量各自不超过20ppm的清洁层(于120℃沸腾下提取1小时)。 |
