| 申请专利号 |
200510076201.0 |
专利申请日 |
2005.05.12 |
| 名称 |
用稀释的NF3清洁低温CVD室 |
公开（公告）号 |
CN1727082 |
| 公开（公告）日 |
2006.02.01 |
颁证日 |
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| 优先权 |
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申请（专利权） |
气体产品与化学公司 |
| 地址 |
美国宾夕法尼亚州 |
发明（设计）人 |
R·G·里德格韦;齐 宾;P·J·马劳里斯 |
| 国际申请 |
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国际公布 |
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| 专利代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
范 赤;庞立志 |
| 摘要 |
| 本发明涉及一种在低温等离子增强化学气相沉积(PECVD)室和设备中沉积副产品的原位清洁工艺的改进，其中工艺热预算要求基座温度升高最小化。在基本的原位PECVD工艺中，将清洁气体引入室，其持续时间和温度足以除去沉积副产品的薄膜，随后将含有沉积副产品的清洁气体从所述的PECVD室中除去。在清洁期间使低温PECVD室内的基座温度升高最小化的改进包括：使用基本上由用于清洁和用足量氦稀释的NF3组成的清洁气体来带走等离子增强低温化学气相沉积室清洁期间产生的热。将基座温度保持在150℃或更低。 |
| 主权项 |
| 1.在低温等离子增强化学气相沉积(PECVD)室和设备中的硅沉积副产品薄膜的原位清洁工艺中，将清洁气体引入该室，其持续时间和温度足以除去硅沉积副产品，随后将含有沉积副产品的清洁气体从所述的PECVD室中除去，其中工艺热预算要求在清洁期间的基座温度升高最小化的改进包括： 使用基本上由用于清洁的足量NF3和足量氦组成的清洁气体来带走PECVD室清洁期间产生的热。 |
