| 申请专利号 |
200380107179.0 |
专利申请日 |
2003.10.29 |
| 名称 |
采用臭氧清洗半导体晶片表面的装置和方法 |
公开（公告）号 |
CN1729063 |
| 公开（公告）日 |
2006.02.01 |
颁证日 |
|
| 优先权 |
|
申请（专利权） |
诺沃研究有限公司 |
| 地址 |
美国加利福尼亚州 |
发明（设计）人 |
容倍金;寅权丁;政烨金 |
| 国际申请 |
2003-10-29 PCT/US2003/034376 |
国际公布 |
2004-05-13 WO2004/040370 英 |
| 专利代理机构 |
北京三幸商标专利事务所 |
代理人 |
刘激扬 |
| 摘要 |
| 清洗半导体晶片表面的装置和方法，利用从气体喷嘴结构喷出的气态材料的气流在形成于半导体晶片表面的清洗液的边界层上产生凹陷或者贯穿该边界层的孔，以增加穿过该边界层而到达晶片表面的气态材料的量。 |
| 主权项 |
| 1.用于清洗物体表面的装置，包括： 设置为可以支持物体的物体支持结构； 连接到该物体支持结构以旋转该物体支持结构和该物体的旋转驱动机构； 与所述物体支持结构有效结合的流体散布结构，所述流体散布结构包括至少一个能够将清洗液散布到所述物体的一个表面上的开口，所述清洗液在所述表面上形成所述清洗液的一个层； 与所述物体支持结构有效结合的气体喷嘴结构，所述气体喷嘴结构具有一个带有多个开口的表面，能够将气态材料的气流喷射到所述层的不同位置；和 与所述气体喷嘴结构有效连接的压力控制设备，能够控制从所述气体喷嘴结构的所述开口喷出的所述气态材料的所述气流的压力，由此影响所述层在所述不同位置处的厚度。 |
