| 申请专利号 |
200510010246.8 |
专利申请日 |
2005.08.05 |
| 名称 |
大尺寸无孔洞缺陷的TiAl基合金锭的熔铸方法 |
公开（公告）号 |
CN1718323 |
| 公开（公告）日 |
2006.01.11 |
颁证日 |
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| 优先权 |
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申请（专利权） |
哈尔滨工业大学 |
| 地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
发明（设计）人 |
苏彦庆;郭景杰;丁宏升;吴士平;贾 均;傅恒志 |
| 国际申请 |
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国际公布 |
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| 专利代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
岳泉清 |
| 摘要 |
| 大尺寸无孔洞缺陷的TiAl基合金锭的熔铸方法，它涉及一种TiAl基合金锭的熔铸方法。本发明解决了现有的TiAl基合金熔炼方法中，采用直接浇铸材料利用率低；采用ISM熔铸技术难以得到大尺寸铸锭；采用VAR熔铸技术，铸锭成分不均匀，无法精确控制低熔点元素的挥发损失量问题。它由以下两个步骤完成：a.采用ISM熔铸技术熔铸TiAl基合金自耗电极；b.采用VAR熔炼技术重熔TiAl基合金电极制备TiAl基合金铸锭；ISM熔铸技术熔铸TiAl基合金自耗电极的方法由以下步骤完成：a′.TiAl基合金原料的熔化；b′.TiAl基合金电极的镶铸。利用该方法可熔铸出成分均匀一致的大尺寸的TiAl基合金铸锭。 |
| 主权项 |
| 1、一种大尺寸无孔洞缺陷的TiAl基合金锭的熔铸方法，它由以下两个步骤完成：a、采用水冷铜坩埚(2)真空感应凝壳熔炼技术熔炼TiAl基合金自耗电极；b、采用真空自耗电极电弧熔炼技术重熔TiAl基合金电极制备TiAl基合金铸锭；其特征在于所述的水冷铜坩埚(2)真空感应凝壳熔炼技术熔铸TiAl基合金自耗电极由以下步骤完成：a′、TiAl基合金原料的熔化：将海绵钛(3)放到水冷铜坩埚(2)内摆放好，海绵钛(3)的上端距水冷铜坩埚(2)的顶端留有1/4～1/3的空间，再将下层铝块(6)、中间合金(5)、上层铝块(4)按从下到上的顺序埋放在海绵钛(3)内的中部，将容纳水冷铜坩埚(2)的真空室抽真空至0.01～1Pa，充氩气至500～1200Pa，再抽真空至0.01～1Pa，如此反复三次，始终将水冷铜坩埚(2)内的真空度保持在0.01～1Pa之间，之后接通水冷铜坩埚(2)电源，将水冷铜坩埚(2)内的合金原料熔化，电源频率控制在5～7kHz之间，电源功率控制在150～350kW之间，电源功率以≤0.5kW/s的速率增加，保温5～10min，再将电源功率降低至200～300kW，保温3～5min；b′、TiAl基合金电极的浇注：在电极头(1)下方的外表面上浇注TiAl基合金熔体，每次浇注的长度(L)为15～35cm，浇注温度为1550～1650℃，保证每炉熔体成分差＜0.2％，浇注后的TiAl基合金电极锭(7)在真空室中冷却至300℃以下，向真空室中充空气，取出TiAl基合金电极锭(7)，如此反复，直至所需要的电极长度。 |
