| 申请专利号 |
200510089080.3 |
专利申请日 |
2005.08.05 |
| 名称 |
稀土纳米颗粒及纳米晶材料制备方法及其设备 |
公开（公告）号 |
CN1743103 |
| 公开（公告）日 |
2006.03.08 |
颁证日 |
|
| 优先权 |
|
申请（专利权） |
北京工业大学 |
| 地址 |
100022北京市朝阳区平乐园100号 |
发明（设计）人 |
张久兴;岳 明;宋晓艳;曾 宏;张东涛;周美玲;左铁镛 |
| 国际申请 |
|
国际公布 |
|
| 专利代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张 慧 |
| 摘要 |
| 本发明属纳米材料领域。颗粒制造：物理气相沉积，稀土为阳极，钨为阴极，氦气保护下，50-400A，10-50V，起弧0.5-5小时制成纳米颗粒。晶材料制造：上述纳米颗粒置入惰性气体保护的预处理室，装入模具预压成型，压力10-1000MPa；惰性气体保护下，放电等离子烧结：温度200-500℃，压力30-1000MPa，保温0-10min，升温速率为20-100℃/min。设备依次包括物理气相沉积部分(1)，粉末捕集机构(2)，传递机构(3)，预处理部分(4)，烧结成型部分(5)，各部分均有真空泵和惰性气瓶，置入有惰性保护气氛的手套箱中；预处理部分(4)和烧结成型部分(5)有气体循环净化装置。本发明颗粒粒度均匀，粒径小于100纳米；晶块体材料致密度高，晶粒细小、均匀，单相性好。 |
| 主权项 |
| 1、一种稀土纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 用物理气相沉积技术将稀土原料制备成粉末状纳米颗粒，以纯度高于99.5wt％的高纯稀土元素作为阳极，金属钨作为阴极，在氦气的保护气氛下，选择电流50-400A，电弧电压10-50V，起弧时间0.5-5小时将原料制备成纳米颗粒。 |
