一种合成氧化亚铜纳米球的方法及氧化亚铜纳米球的应用

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分类 >> B:作业,运输 >> B22F >> 200510086782.6

申请专利号	200510086782.6	专利申请日	2005.11.04
名称	一种合成氧化亚铜纳米球的方法及氧化亚铜纳米球的应用	公开（公告）号	CN1759965
公开（公告）日	2006.04.19	颁证日
优先权		申请（专利权）	清华大学
地址	100084北京市北京100084-82信箱	发明（设计）人	李亚栋;张加涛
国际申请		国际公布
专利代理机构		代理人
摘要
一种合成氧化亚铜纳米球的方法及氧化亚铜纳米球的应用，涉及无机功能材料的形貌控制合成中，P型半导体氧化物的形貌控制及与其它N型半导体形成复合核壳结构的方法技术领域。其特征是，将铜盐溶解在可与水互溶的有机溶剂中，并先后加入非离子性表面活性剂和强还原剂，然后恒温在70～90℃之间，在敞开体系中回流，得到准单分散的氧化亚铜纳米球。本方法制备的氧化亚铜可以在硅片或者导电玻璃上形成两维或者三维自组装模式，以满足太阳能电池或者微电子器件方面的严格需求，制备得到的P-N核壳纳米球半导体复合结构，可以满足在气敏传感器、微电子器件等方面的需求。
主权项
1、一种合成准单分散氧化亚铜的方法，其特征在于，它依次含有以下步骤： 1)在可与水互溶的有机溶剂中溶解铜盐，配成浓度为0.025～0.2mol/l的铜离子溶液； 2)在上述铜离子溶液中加入非离子性表面活性剂，搅拌溶解，非离子性表面活性剂的浓度为0.005～0.05mol/l； 3)在上述第2)步配制的溶液中加入强还原剂，强还原剂浓度为0.025～0.2mol/l； 4)将上述第3)配制的溶液恒温在70～90℃之间，在敞开体系中回流，得到准单分散的氧化亚铜纳米球。