加工氮化物半导体晶体的方法 - 中国专利大全

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分类 >> B:作业,运输 >> B23H >> 200610093295.7

申请专利号	200610093295.7	专利申请日	2006.06.23
名称	加工氮化物半导体晶体的方法	公开（公告）号	CN1883859
公开（公告）日	2006.12.27	颁证日
优先权		申请（专利权）	住友电气工业株式会社
地址	日本大阪府	发明（设计）人	石桥惠二;八乡昭广;西浦隆幸
国际申请		国际公布
专利代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	陈平
摘要
在加工晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体(1)时，将电压施加在所述氮化物半导体晶体(1)和工具电极(3)之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。
主权项

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