| 申请专利号 |
200480010659.X |
专利申请日 |
2004.04.01 |
| 名称 |
用于清洗碳化硅颗粒的方法 |
公开（公告）号 |
CN1791497 |
| 公开（公告）日 |
2006.06.21 |
颁证日 |
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| 优先权 |
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申请（专利权） |
辛特弗公司 |
| 地址 |
挪威特隆赫姆 |
发明（设计）人 |
O·S·拉尼斯;J·赫梅拉尔 |
| 国际申请 |
2004-04-01 PCT/NO2004/000094 |
国际公布 |
2004-11-18 WO2004/098848 英 |
| 专利代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
孙 爱 |
| 摘要 |
| 本发明提供了一种在硅片生产(切割)之后和从颗粒中去除任何存在的溶质或分散剂之后，清除粘附在碳化硅颗粒上的通常为金属颗粒团聚体形式的细颗粒的方法，其特征在于：首先将受污染碳化硅颗粒(1)在已知分级装置中,在第一清洗步骤(2)中进行机械处理，该装置中，将颗粒中大于原始碳化硅颗粒的第一粗粒部分(3)、团聚体分离出来，然后在工艺(4)中进行处理，其中将团聚体打散成单个颗粒而不破碎所述单个颗粒，之后再循环(5)至所述第一清洗步骤(2)，同时第一细颗粒部分(6)从所述第一清洗步骤(2)中排出，并传送至在已知分级装置中实施的第二清洗步骤(7)中，碳化硅颗粒以第二粗粒部分(8)的形式从该装置中排出，同时在所述第二清洗步骤中分离出来的污染物以第二细颗粒部分(9)的形式排出。 |
| 主权项 |
| 1、在硅片生产(切割)之后和从颗粒中去除任何存在的溶质或分散剂之后，清除粘附在碳化硅颗粒上的通常为金属颗粒团聚体形式的细颗粒的方法，其特征在于：首先将受污染碳化硅颗粒(1)在已知分级装置中在第一清洗步骤(2)中进行机械处理，该装置中，将颗粒中大于原始碳化硅颗粒的第一粗粒部分(3)、团聚体分离出来，然后在工艺(4)中进行处理，其中将团聚体打散成单个颗粒而不破碎所述单个颗粒，之后再循环(5)至所述第一清洗步骤(2)，同时第一细颗粒部分(6)从所述第一清洗步骤(2)中排出，并传送至大在已知分级装置中实施的第二清洗步骤(7)中，碳化硅颗粒以第二粗粒部分(8)的形式从该装置中排出，同时在所述第二清洗步骤中分离出来的污染物以第二细颗粒部分(9)的形式排出。 |
