| 申请专利号 |
200510094917.3 |
专利申请日 |
2005.10.20 |
| 名称 |
聚合物的表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列制备方法 |
公开（公告）号 |
CN1769034 |
| 公开（公告）日 |
2006.05.10 |
颁证日 |
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| 优先权 |
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申请（专利权） |
南京大学 |
| 地址 |
210093江苏省南京市汉口路22号 |
发明（设计）人 |
王振林;祝名伟;闵乃本 |
| 国际申请 |
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国际公布 |
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| 专利代理机构 |
南京苏高专利事务所 |
代理人 |
柏尚春 |
| 摘要 |
| 本发明公开了一种聚合物表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列制备方法，属于纳米/微米微结构材料及其制备技术。本发明所指聚合物表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列的聚合物为聚烯、聚酯、聚酰胺等具有明显力学屈服行为的高聚物；二维布拉维点阵包括所有二维基本布拉维格子，即六方、四方、长方、菱形、斜方。制备方法采用压模—拉伸法，即首先利用胶体晶体模板结合热处理技术制备亚微米印模；经过热压脱模，制备亚微米六方点阵；然后通过可控拉伸，制备六方、四方、菱形、长方、斜方等点阵结构以及链等表面微结构。本发明具有可制备所有类型二维基本布拉维格子；点阵参数宽范围精确可调；适用聚合物材料范围广；低成本；易操作，无需复杂设备与技术；可大批量快速生产等特点。 |
| 主权项 |
| 1、一种聚合物的表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤： (1)通过自组装技术在聚合物表面排列亚微米/微米SiO2微球，获得大面积高度有序的二维单层微球阵列，然后在恒温箱中热处理，最后用HF酸腐蚀去除SiO2微球获得聚合物印模； (2)利用上述聚合物印模在另一聚合物薄膜表面压印，放入恒温箱经过热处理后脱模，将步骤(1)所得聚合物印模的表面微结构复制到另一聚合物薄膜表面； (3)调控另一聚合物的拉伸率和拉伸方向，实现该聚合物的微观非均匀延伸，形成各种六方、四方、菱形、长方、斜方等点阵或链阵结构表面微结构。 |
