| 申请（专利）号 |
名称 |
发明人 |
地址 |
| 在交替相移掩模中着色局部着色的设计的系统 |
200510071825.3 |
国际商业机器公司 |
美国纽约 |
| 一种微纳米结构图案的转印装置及方法 |
200410050075.7 |
财团法人工业技术研究院 |
中国台湾 |
| 厚膜构件图案的制造方法 |
200510081831.7 |
佳能株式会社 |
日本东京 |
| 光致抗蚀剂组合物及其无旋转涂布法、有机层图案制造方法、液晶显示器 |
200510072054.X |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 辐射敏感树脂组合物 |
200510079171.9 |
住友化学株式会社 |
日本国东京都 |
| 辐射敏感的树脂组成物、固化树脂图案与液晶显示器 |
200510079868.6 |
住友化学株式会社 |
日本东京都 |
| 红外感光光敏组合物 |
200510083632.X |
富士胶片株式会社 |
日本神奈川县 |
| 使用静态混合器和液-液离心机的树脂分级 |
200510068772.X |
科莱恩金融(BVI)有限公司 |
英属维尔京群岛托尔托拉 |
| 曝光系统的仿真方法和仿真装置 |
200410027941.0 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
| 图形描绘装置和图形描绘方法 |
200510066854.0 |
大日本网目版制造株式会社 |
日本京都府 |
| 光刻显影装置及采用该装置制造滤色片基板的方法 |
200510077259.7 |
LG.菲利浦LCD株式会社 |
韩国首尔 |
| 描绘装置及描绘方法 |
200510078585.X |
富士胶片株式会社 |
日本神奈川县 |
| 对准系统及对准方法 |
200510088148.6 |
友达光电股份有限公司 |
台湾新竹市 |
| 光致抗蚀剂的显影方法及显影装置 |
200510082200.7 |
夏普株式会社 |
日本大阪市 |
| 光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物 |
200510081085.1 |
关东化学株式会社 |
日本东京都 |
| 形成凸缘相移掩模及利用凸缘相移掩模来形成半导体器件的方法 |
03818958.5 |
飞思卡尔半导体公司 |
美国得克萨斯 |
| 模板 |
200380104384.1 |
英根亚控股有限公司;英根亚技术有限公司 |
英属维尔京群岛托尔托拉岛 |
| 使用超高耐热性正型感光组合物的图案形成方法 |
200380104283.4 |
AZ电子材料(日本)株式会社 |
日本国东京都 |
| 含有无卤素着色剂的感光树脂组合物 |
200380104325.4 |
西巴特殊化学品控股有限公司 |
瑞士巴塞尔 |
| 可固化组合物、固化产品、滤色器和液晶显示器件 |
200480001615.0 |
三菱化学株式会社 |
日本东京都 |
| 辐射敏感树脂组合物 |
200380104596.X |
日本瑞翁株式会社 |
日本东京都 |
| 正型感光性组合物 |
200480001589.1 |
株式会社新克 |
日本国千叶县 |
| 光刻系统 |
200380104096.6 |
迈普尔平版印刷IP有限公司 |
荷兰代尔夫特 |
| 平版印刷用冲洗液以及用其形成抗蚀图案的方法 |
200380104413.4 |
AZ电子材料(日本)株式会社 |
日本国东京都 |
| 顶端抗反射涂料聚合物、制法及顶端抗反射涂料组合物 |
200510062817.2 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 纳米压印用紫外光固化阳离子型刻蚀胶 |
200510043034.X |
西安交通大学 |
710049陕西省西安市咸宁路28号 |
| 曝光装置以及曝光方法 |
200510083530.8 |
富士胶片株式会社 |
日本神奈川县 |
| 制版用环保洗版液 |
200410027994.2 |
广州荣键贸易发展有限公司 |
510600广东省广州市达道路12金达大厦707－709 |
| 局部眩光校正 |
03825736.X |
富士通株式会社 |
日本国神奈川县 |
| LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物和抗蚀图的形成方法 |
200380104752.2 |
东京应化工业株式会社 |
日本神奈川县 |
| 用于形成抗反射涂层的组合物 |
200380104698.1 |
东京应化工业株式会社 |
日本神奈川县 |
| 掩膜图案及其形成方法、涂料组合物的制备方法、和制造半导体器件的方法 |
200510064902.2 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 波纹缺陷检查方法及装置、以及光掩模的制造方法 |
200510075809.1 |
HOYA株式会社 |
日本东京 |
| 灰色调掩模和灰色调掩模的制造方法 |
200510084068.3 |
HOYA株式会社 |
日本东京 |
| 光致抗蚀剂组合物 |
200510080628.8 |
东进世美肯株式会社 |
韩国仁川市 |
| 片材形成用组合物、其制造方法、及显示屏制造用片材状未烧结体 |
200510080926.7 |
东京応化工业株式会社 |
日本川崎市 |
| 感光性树脂组合物和元件、以及相关构件的制造方法 |
200510079627.1 |
日立化成工业株式会社 |
日本东京都 |
| 星形聚合物 |
200510082178.6 |
住友化学株式会社 |
日本国东京都 |
| 采用压电致动器移动物体的系统和方法 |
200410100797.9 |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 光刻设备、控制系统及器件制造方法 |
200510064168.X |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 光学放大率调节系统与投影曝光设备 |
200510073570.4 |
株式会社阿迪泰克工程 |
日本东京 |
| 描绘装置及描绘方法 |
200510078177.4 |
富士胶片株式会社 |
日本神奈川县 |
| 以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描 |
200510078229.8 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |
| 光刻装置和器件制造方法 |
200510078661.7 |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 辐射产生器件、光刻装置、器件制造方法及由此制造的器件 |
200510084819.1 |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 曝光装置和曝光方法 |
200510088498.2 |
佳能株式会社 |
日本东京 |
| 光刻投射装置及使用这种光刻投射装置的器件制造方法 |
200510081963.X |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 光阻剥离制程与光阻剥离装置 |
200410028146.3 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
| 图形尺寸校正装置及方法、光掩模以及试验用光掩模 |
200480001762.8 |
富士通株式会社 |
日本国神奈川县 |
| 用于制造成形结构的装置及方法 |
200380105374.X |
宝洁公司 |
美国俄亥俄州 |
| 光刻用形成防反射膜的组合物 |
200380105388.1 |
日产化学工业株式会社 |
日本东京都 |
| 用于电测量缝合掩膜的单向未对准的电阻结构 |
200380105656.X |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
| 防伪包装的生产工艺 |
200510034942.2 |
广西真龙彩印包装有限公司 |
542700广西壮族自治区贺州市富川瑶族自治县富阳镇民族路12号 |
| 光反应装置 |
200510076504.2 |
三洋电机株式会社;三洋电机生物医药设备有限公司 |
日本国大阪府 |
| 光刻装置和器件制造方法 |
200510081066.9 |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 具有气体冲洗装置的光刻设备 |
200510081753.0 |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法 |
200510083389.1 |
松下电器产业株式会社 |
日本大阪府 |
| 对准方法和装置，光刻装置，器件制造方法和对准工具 |
200510084450.4 |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 纳米级设计结构、其制造方法及设备以及在掩模修复、增强和制造上的应用 |
200380105744.X |
纳米墨水公司 |
美国伊利诺斯州芝加哥 |
| 用于DNA微阵列生产的光敏掩膜的激光曝光 |
200380106084.7 |
英特尔公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 用于纳米压印的组合物和方法 |
200380106100.2 |
普林斯顿大学 |
美国新泽西 |
| 滤色片黑色矩阵光阻组合物 |
200380106299.9 |
昭和电工株式会社 |
日本东京都 |
| 光致抗蚀剂组合物的制造方法、过滤装置、涂布装置和光致抗蚀剂组合物 |
200380106292.7 |
东京应化工业株式会社 |
日本神奈川县 |
| 用于纳米压印的压模及其制备方法 |
200410050945.0 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
| 基于回流技术减少纳米压印复制品表面粗糙度的方法 |
200510028218.9 |
上海交通大学 |
200240上海市闵行区东川路800号 |
| 光刻胶保护膜用组合物、光刻胶保护膜及光刻胶图形形成方法 |
200510088468.1 |
旭硝子株式会社 |
日本东京 |
| 改进的成像组合物和方法 |
200510008145.7 |
罗姆及海斯电子材料有限公司 |
美国马萨诸塞州 |
| 可用作光敏产酸剂的新型硫鎓盐化合物及其制备方法 |
200510038661.4 |
常州华钛化学有限公司 |
213241江苏省金坛市朱林大街8号 |
| 含氟醚式结构多官能基光敏产酸剂及其制备方法 |
200510038717.6 |
常州华钛化学有限公司 |
213241江苏省金坛市朱林大街8号 |
| 新型六芳基二咪唑光敏引发剂及聚酰亚胺光敏组合物 |
200510038811.1 |
常州华钛化学有限公司 |
213241江苏省金坛市朱林大街8号 |
| 光刻装置及器件制作方法 |
200510009080.8 |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 一种自控液晶光阀组光刻快门 |
200510016501.X |
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
130031吉林省长春市东南湖大路16号 |
| 光刻装置及用于校准该光刻装置的方法 |
200510087651.X |
ASML荷兰有限公司 |
荷兰维尔德霍芬 |
| 通过施加电场在光固化组合物中加工纳米级图形的方法和系统 |
02810019.0 |
德克萨斯州大学系统董事会 |
美国得克萨斯州 |
| 滤色片黑色矩阵光阻组合物及用于该组合物的碳黑分散体组合物 |
200380106777.6 |
昭和电工株式会社 |
日本东京都 |
| 阻质层涂覆方法、粘性材料的使用、粘性材料及阻质层 |
200380106827.0 |
因芬尼昂技术股份公司 |
德国慕尼黑 |
| 双半球会聚器 |
200380100025.9 |
英特尔公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 极紫外线磁性对比光刻掩模及其制法 |
200510091072.2 |
因芬尼昂技术股份公司 |
德国慕尼黑 |
| 一维纳米材料的三维微构型制备方法 |
200510028437.7 |
上海交通大学 |
200240上海市闵行区东川路800号 |
| 基于湿法刻蚀MEMS压印模板制造工艺 |
200510043070.6 |
西安交通大学 |
710049陕西省西安市咸宁路28号 |
