| 申请（专利）号 |
名称 |
发明人 |
地址 |
| 存储器设备 |
200410091683.2 |
富士通株式会社 |
日本神奈川县 |
| 半导体存储装置及其误码修正方法 |
200510078607.2 |
尔必达存储器股份有限公司 |
日本东京 |
| 能稳定设置模式寄存器设置的半导体存储器件及方法 |
200510069387.7 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置以及半导体集成电路 |
200510070161.9 |
松下电器产业株式会社 |
日本大阪府 |
| 输入/输出电路 |
200410081891.4 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 低功率消耗的半导体存储器件 |
200510077925.7 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 高速低功耗电流灵敏放大器 |
200510026403.4 |
复旦大学 |
200433上海市邯郸路220号 |
| 用于检测CAM阵列中的多次命中的设备和方法 |
200510059169.5 |
国际商业机器公司 |
美国纽约 |
| 对闪存数据的存取进行管理的方法 |
200410062645.4 |
深圳市朗科科技有限公司 |
518057广东省深圳市南山高新区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼 |
| 分离式移动存储装置 |
200410027887.X |
深圳市朗科科技有限公司 |
518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 程序化单层复晶硅只读存储器单元的方法 |
200410050095.4 |
联华电子股份有限公司 |
台湾省新竹市 |
| 在主机和非易失性存储设备间进行缓冲的多端口存储设备 |
200510074185.1 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 包括位线电压箝位电路的闪存装置及其位线电压控制方法 |
200510079429.5 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 用于在测试模式产生内部电压的设备和其方法 |
200510069466.8 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 用于至少具有两个不同电阻状态的存储器的读出放大器 |
03815344.0 |
飞思卡尔半导体公司 |
美国得克萨斯 |
| 用于串行编程MRAM的电流重新路由方案 |
200380104246.3 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
| 用于在磁致电阻存储器件的写操作期间改善磁场产生的方法和设备 |
200380104331.X |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
| 检测磁数据存储设备中热弛豫的可能开始的方法和装置 |
200380104337.7 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
| 带有共享电流线路的磁存储器体系结构 |
200380104340.9 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
| 非易失性存储器单元及其控制方法 |
200380104126.3 |
松下电器产业株式会社 |
日本大阪府 |
| 静态随机存取内存存储单元及补偿其漏损电流的方法 |
200380104256.7 |
因芬尼昂技术股份公司 |
德国慕尼黑 |
| 驱动非易失性存储器的方法 |
200480001600.4 |
松下电器产业株式会社 |
日本大阪府 |
| 使用预分配冗余(PAR)体系结构的存储器阵列的自修复 |
03825688.6 |
飞思卡尔半导体公司 |
美国得克萨斯 |
| 测试埋入式动态随机访问存储器电路的模数测试控制器 |
200380104269.4 |
因芬尼昂技术股份公司 |
德国慕尼黑 |
| 铁电存储装置及电子设备 |
200510073537.1 |
精工爱普生株式会社 |
日本东京 |
| 具有保密功能的快闪记忆体储存装置 |
200510076635.0 |
劲永国际股份有限公司 |
台湾台北县中和市建八路16号14楼 |
| 限流锁存器 |
200380105187.1 |
桑迪士克股份有限公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 多状态存储器的智能检验 |
200380105121.2 |
桑迪士克股份有限公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 使用整合技术的组合式非易失性存储器 |
200380100008.5 |
柰米闪芯集成电路有限公司 |
美国加利福尼亚州圣荷西市 |
| 每一存储单元电荷存储元件具有双重控制栅极的闪速存储单元阵列 |
200380104733.X |
桑迪士克股份有限公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储装置以及半导体存储装置的位线选择方法 |
03825795.5 |
富士通株式会社 |
日本神奈川县 |
| 非易失性存储系统中的自动磨损平衡 |
200380104715.1 |
桑迪士克股份有限公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 可编程非易失性半导体存储器件 |
200380105044.0 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
| 有源电流模式采样电路 |
03825735.1 |
诺基亚公司 |
芬兰埃斯波 |
| 记录及/或再现装置及存储媒体的装载方法 |
200510079467.0 |
索尼公司 |
日本东京都 |
| 铁电存储装置 |
200510076675.5 |
精工爱普生株式会社 |
日本东京 |
| 长数据线对的双等化设备 |
200410096538.3 |
茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） |
新加坡 |
| 半导体存储装置 |
200510078130.8 |
尔必达存储器株式会社 |
日本东京 |
| 存储器设备 |
200510069790.X |
索尼株式会社 |
日本东京都 |
| 适用字符线金属导线技术的平面单元只读存储器 |
200410069749.8 |
义隆电子股份有限公司 |
台湾省新竹市 |
| 非易失性存储器件的页面缓冲器及其编程和读取方法 |
200510003635.8 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 半导体装置 |
200510073910.3 |
株式会社半导体能源研究所 |
日本神奈川县厚木市 |
| 测试存储器模块和存储器模块的中心单元的方法 |
200510077886.0 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 存储器测试电路和存储器测试方法 |
200510079461.3 |
株式会社东芝 |
日本东京都 |
| 用于最大化DRAM存储器带宽的方法和系统 |
03810811.9 |
英特尔公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 半导体存储器器件及其操作方法 |
200480001678.6 |
矽利康创新股份有限公司;洛桑联邦综合工科学校 |
美国加利福尼亚 |
| 一次可编程存储器件 |
200380105655.5 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
| 堆叠式半导体存储器器件 |
200510081029.8 |
尔必达存储器股份有限公司 |
日本东京 |
| 一种先入先出存储器及其读写地址的调整方法 |
200410070881.0 |
华为技术有限公司 |
518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
| 具有追溯回放功能的多媒体录放装置 |
200410070830.8 |
英保达股份有限公司 |
台湾省台北市 |
| 以比值为状态导向的存储方式及电路 |
200510026409.1 |
复旦大学;硅存储技术公司 |
200433上海市邯郸路220号 |
| 降低功耗的MRAM器件各向异性轴角选择方法和结构 |
200510079133.3 |
国际商业机器公司 |
美国纽约 |
| 半导体存储装置 |
200510083710.6 |
松下电器产业株式会社 |
日本大阪府 |
| 在存储设备中防止功率噪声的级联唤醒电路 |
200510081018.X |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 不同工艺-电压-温度变化下稳定的同步随机存取存储器 |
200510082155.5 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 包括存储访问数据的电路的半导体存储器件 |
200510084662.2 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 改善闪存于低阶格式化时的效能 |
200410054442.0 |
群联电子股份有限公司 |
台湾省新竹县 |
| 移动存储盘 |
200410069593.3 |
许虎良 |
314400浙江省海宁市南苑一里2幢501室 |
| 一种防止存储器攻击的隐藏ROM的方法 |
200510034702.2 |
北京兆日科技有限责任公司 |
100088北京市海淀区知春路6号锦秋国际大厦B座4层 |
| 非易失半导体存储器及设置该存储器中的替换信息的方法 |
200510081981.8 |
恩益禧电子股份有限公司 |
日本神奈川 |
| 电位切换电路、具有电位切换电路的闪速存储器及切换电位的方法 |
200510084679.8 |
恩益禧电子股份有限公司 |
日本神奈川县 |
| 片内EE-PROM编程波形发生 |
200510079572.4 |
英特赛尔美国股份有限公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 用于在低电源电压下工作的闪存器件的读出电路 |
200510082113.1 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 一种闪存存储器的检测方法 |
200410069098.2 |
中兴通讯股份有限公司 |
518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座6层 |
| 软硬件结合的监错和纠错方法 |
200510026410.4 |
复旦大学;硅存储技术公司 |
200433上海市邯郸路220号 |
| 用于源同步数据传输的二维数据眼图定心 |
200380106474.4 |
英特尔公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 制造用在磁电子器件中的磁通集中系统的方法 |
200380106467.4 |
飞思卡尔半导体公司 |
美国得克萨斯 |
| CMIS型半导体非易失存储电路 |
200380106548.4 |
恩艾斯克株式会社 |
日本福冈 |
| 可进行音乐播放的运动辅助装置 |
200410050923.4 |
乐金电子（惠州）有限公司 |
516000广东省惠州市仲恺高新技术开发区19号 |
| 半导体存储装置和刷新周期控制方法 |
200510078378.4 |
尔必达存储器株式会社 |
日本东京 |
| 半导体装置的操作方法以及该半导体装置 |
200510077971.7 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 位线感测放大器及具有它的半导体存储器件 |
200510076919.X |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 半导体存储器装置，存取架构以及其操作的方法 |
200510081552.0 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 一种内含压缩和解压缩功能的移动存储装置 |
200410070655.2 |
北京九州计算机网络有限公司 |
100080北京市海淀区海淀路52号1605室 |
| 提高闪存盘数据写入速度的方法 |
200410050952.0 |
深圳市朗科科技有限公司 |
518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |
| 测试半导体存储设备的装置与方法 |
200410011518.1 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 一种扫描闪存盘的闪存芯片的方法 |
200410071004.5 |
深圳市朗科科技有限公司 |
518057广东省深圳南山高新区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼 |
| 具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器 |
03814154.X |
飞思卡尔半导体公司 |
美国得克萨斯 |
| 磁阻式随机存取存储器技术中改善磁堆栈表面粗糙度的双层化学机械抛光方法 |
200380102827.3 |
因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 |
德国慕尼黑 |
| 用于保护一个MRAM装置不受窜改的方法和装置 |
200380106672.0 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
荷兰艾恩德霍芬 |
