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分 类 >> G:物理 >> G21B
申请(专利)号 名称 发明人 地址
一种仿碟核聚变装置 200510035330.5 许仕超 510510广东省广州市同和中路麦地东街5号501
喷涂有厚钨涂层的第一壁部件或低活化钢热沉材料及其制作方法 200510095155.9 中国科学院等离子体物理研究所 230031安徽省合肥市蜀山湖路350号
喷涂有厚钨涂层的第一壁部件或铜合金热沉及其制作方法 200510095156.3 中国科学院等离子体物理研究所 230031安徽省合肥市蜀山湖路350号
球形托卡马克磁体环向场线圈的中心柱 200410098978.2 中国科学院电工研究所 100080北京市海淀区中关村北二条6号
特殊的超导托卡马克核聚变装置真空室的窗口颈管结构 200610040635.X 中国科学院等离子体物理研究所 230031安徽省合肥市1126信箱
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