| 申请（专利）号 |
名称 |
发明人 |
地址 |
| 用于处理半导体器件的同一性的方法和系统 |
200410025412.7 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 用于半导体器件的成品率相似性的方法和系统 |
200410025413.1 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 用于处理半导体器件的稳定性的方法和系统 |
200410025414.6 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 预测保养日期的方法以及仪器 |
200410059495.1 |
旺宏电子股份有限公司 |
中国台湾 |
| 金属碳化物衬底表面的处理方法及这种金属碳化物衬底 |
200410083276.7 |
齐卡博制陶业有限公司 |
荷兰海尔蒙德 |
| 从箔片分离半导体芯片的方法和用于安装半导体芯片的设备 |
200510064978.5 |
优利讯国际贸易有限责任公司 |
瑞士卡姆 |
| 被涂覆腔室部件的翻新 |
200510071773.X |
应用材料有限公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 信息存取方法和系统、内部知识树更新方法、信息抽取系统 |
200510072523.8 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 清洗远程等离子体产生管的方法及处理衬底的设备和方法 |
200510074008.3 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 半导体器件及其制造方法 |
200510074018.7 |
株式会社半导体能源研究所 |
日本神奈川县厚木市 |
| 加工装置 |
200510076524.X |
株式会社迪思科 |
日本东京都 |
| 结晶方法及其装置 |
200510077525.6 |
LG.菲利浦LCD株式会社 |
韩国首尔 |
| 稳定等离子体处理的方法和设备 |
200510079835.1 |
应用材料有限公司 |
美国加利福尼亚 |
| 衬底处理装置 |
200510080979.9 |
未来视野股份有限公司 |
日本东京都 |
| 制备显示装置的方法 |
200510082115.0 |
三星SDI株式会社 |
韩国京畿道 |
| 粘贴在粘着薄片上的基体片的制造方法、半导体晶片及半导体装置的制造方法 |
200510089616.1 |
夏普株式会社 |
日本大阪市 |
| 形成半导体器件的电容器的方法 |
200510077892.6 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 半导体制造方法和曝光掩模 |
200410097359.1 |
富士通株式会社 |
日本神奈川县 |
| 包括具有受限电流密度的氧化钒传感器元件的半导体器件 |
200510073776.7 |
恩益禧电子股份有限公司 |
日本神奈川县 |
| 在半导体装置中形成多晶硅层的方法 |
200510051955.0 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 成膜方法和成膜装置 |
200510080241.2 |
东京毅力科创株式会社 |
日本东京都 |
| 掺杂装置 |
200510078541.7 |
株式会社半导体能源研究所 |
日本神奈川县 |
| 单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法 |
200410040114.5 |
电子科技大学 |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |
| 半导体存储器装置的栅结构 |
200410104176.8 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法 |
200510064432.X |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 多层堆栈栅极结构及其制作方法 |
200510078077.1 |
南亚科技股份有限公司 |
台湾省桃园县 |
| 晶片处理方法 |
200510076331.4 |
株式会社迪斯科 |
日本东京 |
| AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法,AlN衬底及其清洗方法 |
200510082192.6 |
住友电气工业株式会社 |
日本大阪府 |
| 介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路 |
200510080146.2 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 超低介电常数薄膜及其制造方法 |
200410025643.8 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 |
| 掺杂的氮化物膜、掺杂的氧化物膜、以及其它掺杂的膜 |
200510080941.1 |
国际商业机器公司 |
美国纽约 |
| 在接触孔中形成金属-氮化物层的方法和如此形成的层 |
200510073873.6 |
三星电子株式会社 |
韩国京畿道 |
| 用于高电压操作的金属氧化物半导体器件及其制造方法 |
200410025738.X |
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 在双栅极FET中制造自对准源极和漏极接触件的方法 |
200510056262.0 |
IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
比利时勒芬 |
| 半导体器件的制造方法及通过该方法制造的半导体 |
200510064064.9 |
三星SDI株式会社 |
韩国京畿道 |
| 半导体元件及其制造方法 |
200510073526.3 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 一种P型MOSFET的结构及其制作方法 |
200510078975.7 |
国际商业机器公司 |
美国纽约 |
| 降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法 |
200410049770.1 |
中国科学院半导体研究所 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |
| 提高集成电路内引线键合可靠性的方法 |
200510003089.8 |
中国振华集团风光电工厂 |
550018贵州省贵阳市10号信箱 |
| 用于引线焊接机的激光清洁系统 |
200510008822.5 |
库力索法投资公司 |
美国特拉华州 |
| 贯通电极及其形成方法 |
200510081176.5 |
新光电气工业株式会社 |
日本长野县 |
| 同时测多个金属-氧化物-半导体器件热载流子的测试结构 |
200410025521.9 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 |
| 适用于硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离方法 |
200410009282.8 |
北京大学 |
100871北京市海淀区颐和园路5号 |
| 半导体器件的制造方法 |
200410025635.3 |
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 |
| 单元晶体管的制造方法 |
200510008026.1 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 半导体装置的制造方法 |
200510078641.X |
三洋电机株式会社 |
日本大阪府 |
| 集成电路器件形成隔离物后修复等离子体损伤的方法 |
200410025739.4 |
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 半导体器件中形成器件隔离膜的方法 |
200410081783.7 |
海力士半导体有限公司 |
韩国京畿道 |
| 晶片分割方法 |
200510082228.0 |
株式会社迪斯科 |
日本东京 |
| 定义集成电路中最小节距使超越光学微影制程分辨率的方法 |
200410062401.6 |
旺宏电子股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区 |
| 用于掩膜可编程逻辑器件的开关方法 |
200510075535.6 |
阿尔特拉公司 |
美国加利福尼亚州 |
| 非挥发性记忆单元的集成电路的制作方法 |
200410091078.5 |
茂德科技股份有限公司 |
中国台湾 |
| 半导体器件制造方法及其半导体器件 |
200510074318.5 |
株式会社日立制作所 |
日本东京 |
| 互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法 |
200510082118.4 |
三星SDI株式会社 |
韩国京畿道 |
| 非易失性半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件 |
200510077445.0 |
株式会社瑞萨科技 |
日本东京都 |
| 用于形成集成堆栈电容器的方法和结构 |
200410025740.7 |
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |
| SOI晶圆上的半导体组件的制造方法 |
200410088040.2 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |
| 半导体器件的制造方法 |
200510078881.X |
株式会社半导体能源研究所 |
日本神奈川县 |
| 形成半导体结构的方法以及半导体结构 |
200510078976.1 |
国际商业机器公司 |
美国纽约 |
| 半导体衬底及其制造工艺 |
200510079111.7 |
硅电子股份公司 |
德国慕尼黑 |
| 半导体装置及其制造方法 |
200510053039.0 |
三菱电机株式会社 |
日本东京都 |
| 半导体封装及其制造方法 |
200510080225.3 |
株式会社藤仓 |
日本东京都 |
| 电路装置及其制造方法 |
200510081398.7 |
三洋电机株式会社 |
日本大阪府 |
| 元件搭载基板 |
200510077882.2 |
三洋电机株式会社 |
日本大阪府 |
| 散热器扣合装置 |
200410027986.8 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
| 散热鳍片与热管的结合方法及其装置 |
200410048246.2 |
珍通科技股份有限公司 |
中国台湾 |
| 具有热传导梯度的钻石复合物散热片及其制法 |
200410059482.4 |
宋健民 |
台湾省台北县 |
| 处理器散热器保持模块和组件 |
200510078869.9 |
蒂科电子公司 |
美国宾夕法尼亚州 |
| 半导体装置、电路基板、电光学装置以及电子机器 |
200510075807.2 |
精工爱普生株式会社 |
日本东京 |
| 内插器及其制造方法以及使用该内插器的半导体器件 |
200510077426.8 |
新光电气工业株式会社 |
日本长野县 |
| 半导体器件及其制造方法 |
200510073208.7 |
株式会社东芝 |
日本东京都 |
| 半导体器件 |
200510078018.4 |
株式会社瑞萨科技 |
日本东京 |
| 半导体器件及其制造方法 |
200510078700.3 |
株式会社东芝 |
日本东京都 |
| 半导体器件及其制造方法 |
200510080289.3 |
松下电器产业株式会社 |
日本大阪府 |
| 电性内连线交截处的接合及半导体装置 |
200510079749.0 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |
| 静电放电保护电路 |
200410048263.6 |
旺宏电子股份有限公司 |
中国台湾 |
| 分离电源式静电放电保护电路以及使用此电路的集成电路 |
200410059497.0 |
联咏科技股份有限公司 |
中国台湾 |
| 半导体器件及其制造方法 |
200410100756.X |
富士通株式会社 |
日本神奈川县 |
| 微电子模块中产生静电放电保护的方法及相应微电子模块 |
200510081061.6 |
因芬尼昂技术股份公司 |
德国慕尼黑 |
| 半导体器件 |
200510082174.8 |
罗姆股份有限公司 |
日本京都府 |
