| 申请专利号 |
96247965.9 |
专利申请日 |
1996.12.11 |
| 名称 |
高亮度金属卤化物灯用的高频开关电源 |
公开(公告)号 |
2282288 |
| 公开(公告)日 |
1998.05.20 |
颁证日 |
1998.04.09 |
| 优先权 |
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申请(专利权) |
彭端 |
| 地址 |
510643广东省广州市五山广东机械学院16栋202号 |
发明(设计)人 |
彭端; 彭珞丽 |
| 国际申请 |
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国际公布 |
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| 专利代理机构 |
华南理工大学专利事务所 |
代理人 |
罗观祥 |
| 专利摘要 |
| 本实用新型是高频开关电源,它由通风散热风道、外壳、电路板、输入、输出端子、散热器等连接构成,风道设置于外壳后盖板,电路板通过接插头座与外壳连接,其中电路由滤波器、整流电路、功率因数校正升压控制器、高频恒流变换器、电流检测器、高频PWM控制器、驱动器、振荡器、全桥逆变电路、触发器等通过相应的各种信号线相互电气连接构成。本电源恒流特性好、高效节能、输出电流波形好、体积小、重量轻。 |
| 专利主权项 |
| 一种高亮度金属卤化物灯用的高频开关电源,其特征在于:它
由通风散热风道(1)、金属外壳(2)、电路板(3)、输
入端子(4)、输出端子(5)、散热器(6)共同连接构成
,其相对位置及连接关系为:电路板(3)通过接插头及装于
金属外壳内壁的接插座与金属外壳(2)相电气连接,通风散
热风道(1)设置在金属外壳的后盖板上,输入、输出端子(
4)、(5)装置在电路板一端的两侧,散热器(6)安装于
电路板下部,电源的功率半导体器件装于散热器(6)上;其
中其电路由低通滤波器、桥式整流电路、功率因数校正升压电
路、功率因数校正控制器、高频恒流变换器、电流检测器、高
频脉冲宽度调制(PWM)控制器、功率场效应晶体管(MO
SFET)驱动电路、绝缘栅双极晶体管(IGBT)全桥逆
变电路、绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动器、低频振荡器
、触发器共同连接构成,其相互连接关系为:低通滤波器通过
低通滤波信号线与桥式整流电路相电气连接,桥式整流电路通
过直流信号线分别与功率因数校正升压电路、功率因数校正控
制器相互电气连接,功率因数校正控制器通过功率因数校正控
制信号线与功率因数校正升压电路相电气连接,功率因数校正
升压电路通过功率因数校正升压信号线与高频恒流变换器相电
气连接,高频恒流变换器通过高频恒流变换信号线分别与绝缘
栅双极晶体管全桥逆变电路、电流检测器相电气连接,电流检
测器通过电流检测信号线分别与功率场效应晶体管(MOSF
ET)驱动电路、高频脉冲宽度调制控制器、绝缘栅双极晶体
管(IGBT)驱动器相电气连接,高频脉冲宽度调制控制器
通过高频脉冲宽度调制控制信号输出线与功率场效应晶体管驱
动电路相电气连接,功率场效应晶体管驱动电路通过驱动信号
线与高频恒流变换器相电气连接,低频振荡器通过振荡信号线
与绝缘栅双极晶体管驱动器相电气连接,绝缘栅双极晶体管驱
动器通过多条驱动信号线与(IGBT)全桥逆变电路相电气
连接,绝缘栅双极晶体管全桥逆变电路通过逆变信号线与触发
器相电气连接,触发器通过触发信号线与高亮度金属卤化物灯
相电气连接;或电路方框的组成中省去功率因数校正升压电路
和功率因数校正控制器电路,使桥式整流电路直接通过直流信
号线与高频恒流变换器相电气连接。 |